发明名称 一个光罩内的单元芯片存在不同图像条件的缺陷扫描方法
摘要 本发明公开了一种一个光罩内的单元芯片存在不同图像条件的缺陷扫描方法,通过采用定义单元芯片的扫描区域内重复的最小重复单元,让相邻的最小重复单元之间进行对比来确认是否存在缺陷的array mode缺陷扫描方法,对半导体图像处理实验芯片上一个光罩内的不同单元芯片的对应功能区域存在具有不同图形和CD参数的图像条件的情况,进行精确的缺陷扫描。本发明适用于单元芯片内存在多个不同图形的重复CELL区域的情况,以及单元芯片内相同位置的CELL区域大小相同,但同一区域的重复的CELL区的CD大小或者图形不同的情况,可避免die to die缺陷扫描方法造成的缺陷误判干扰,因而提高了实验芯片的良率。
申请公布号 CN103928365A 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN201410173942.X 申请日期 2014.04.28
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 何理;许向辉;郭贤权;陈超
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种一个光罩内的单元芯片存在不同图像条件的缺陷扫描方法,用于对半导体图像处理实验芯片使用缺陷扫描机台进行缺陷扫描,所述芯片上在定义的一个光罩内的不同的所述单元芯片电路图形结构的对应功能区域存在设计有不同的图形和CD参数的图像条件,所述缺陷扫描机台可以区分扫描区域设定不同的扫描参数,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:使用缺陷扫描机台新建扫描程式,完成对所述芯片的对准,定义所述单元芯片的大小,定义所述单元芯片内各个特征扫描区域;步骤二:完成对所述芯片的材质像素特征收集,芯片对准以及芯片上需要进行缺陷扫描的区域的确定;步骤三:分别对定义的所述扫描区域设定不同的扫描模式和相应的扫描参数;所述扫描模式包括定义以所述单元芯片为对比单元、对相邻的所述单元芯片进行对比的die to die缺陷扫描方法,以及通过定义所述单元芯片的所述扫描区域内重复的最小重复单元,让所述扫描区域内相邻的所述最小重复单元之间进行对比来确认是否存在缺陷的array mode缺陷扫描方法;步骤四:优化扫描程式参数,根据不同的图像条件进行缺陷扫描,将发现的缺陷位置坐标标注在所述单元芯片上,并完成该程式的扫描过程。
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