藉由利用氮气之锌靶材的反应性溅镀所产生的薄膜半导体材料;THIN FILM SEMICONDUCTOR MATERIAL PRODUCED THROUGH REACTIVE SPUTTERING OF ZINC TARGET USING NITROGEN GASES

摘要

本发明大致包含一种半导体膜层及一种用来沉积此半导体膜层的反应性溅镀制程。溅镀靶材可包含纯锌，也就是纯度为99.995原子百分比或更高纯度的锌，其可掺杂有铝(约1原子百分比至约20原子百分比)或其他掺质金属。可利用引入氮气体和氧气到腔室内来反应性溅镀该锌靶材。氮气体的量可明显超过氧气和氩气的量。可依据在没有含氮气体时沉积所测得的膜层结构的转变点、膜层之光穿透性、直流(DC)电压变化或膜层传导性，来决定氧气的量。反应性溅镀可在室温至高达摄氏数百度的温度范围下发生。沉积后，可将半导体膜层退火以进一步改良膜层的迁移力。