发明名称 降低反射讯号的内存结构
摘要 一种降低反射讯号的内存结构,其包含有处理单元;与处理单元连接的总线路单元;数个与总线路单元连接的内存;以及设于总线路单元末端处的反射讯号吸收单元。藉此,可于处理单元配合各内存作讯号传输时,利用反射讯号吸收单元吸收相关的反射讯号,以降低讯号传输时的反射讯号,而达到使各内存可稳定运作的功效。
申请公布号 CN103927286A 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN201310014984.4 申请日期 2013.01.16
申请人 森富科技股份有限公司 发明人 林正隆
分类号 G06F13/40(2006.01)I 主分类号 G06F13/40(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 何为;袁颖华
主权项 一种降低反射讯号的内存结构,其特征在于:该结构包括处理单元、总线路单元、数个内存及反射讯号吸收单元,该总线路单元与处理单元连接;该数个内存与总线路单元连接;该反射讯号吸收单元设于总线路单元的末端处。
地址 中国台湾新竹县竹北市县政二路512号2楼