发明名称 半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 [课题]确实地控制成于进行基准电压之AD变换之际,基准电压生成电路的低耐压电晶体不会因保持在取样保持电路的电压而被破坏。[解决手段]于半导体装置(1)中,控制内装之AD变换器(25)的输入信号之切换的切换控制部(40),是构成当接受到检测出基准电压値(Vref)的指令(SLR)时,自动性地暂时连接取样保持电路(20)的输入节点与接地节点(GND)之后,来连接取样保持电路(20)的输入节点与基准电压生成电路(7)的输出节点。
申请公布号 TW201429167 申请公布日期 2014.07.16
申请号 TW102132801 申请日期 2013.09.11
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 増田哉
分类号 H03M1/12(2006.01) 主分类号 H03M1/12(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本