半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底具有栅极区、被栅极区隔离开的源极和漏极(S/D)区及位于N-FET区中的栅极区中第一鳍结构。第一鳍结构由作为下部的第一半导体材料层、作为中部的半导体氧化物层和作为上部的第二半导体材料层形成。半导体器件还包括位于N-FET区中的S/D区中第二鳍结构。第二鳍结构由作为下部的第一半导体材料层、作为第一中部的半导体氧化物层、作为第二中部的位于第一中部旁的第一半导体材料层和作为上部的第二半导体材料层形成。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，具有N型场效应晶体管(N‑FET)区；栅极区，位于所述N‑FET区中；源极和漏极(S/D)区，被位于所述N‑FET区中的栅极区隔离开；第一鳍结构，位于所述N‑FET区的栅极区中，所述第一鳍结构包括：作为所述第一鳍结构的下部的第一半导体材料层，；作为所述第一鳍结构的中部的半导体氧化物层；和作为所述第一鳍结构的上部的第二半导体材料层，；第二鳍结构，位于所述N‑FET区的S/D区中，所述第二鳍结构包括：作为所述第二鳍结构的下部的第一半导体材料层，；作为所述第二鳍结构的第一中部的半导体氧化物层，其中，所述半导体氧化物层直接接触所述栅极区中的所述第一鳍的中部；作为第二中部且位于所述第二鳍结构的第一中部旁边的第一半导体材料层；和作为所述第二鳍结构的上部的第二半导体材料层；源极/漏极部件，位于所述源极/漏极区中的第二鳍结构的上部的顶部上；和位于所述衬底上的高k(HK)/金属栅极(MG)堆叠件，在所述栅极区中包裹在所述第一鳍结构的一部分上方。