发明名称 |
等离子体处理系统中的等离子体限制结构 |
摘要 |
本发明提供了一种配置为用于在衬底的等离子体处理中限制等离子体处理室中的等离子体的可移动等离子体限制结构。该可移动等离子体限制结构包括配置为环绕该等离子体的可移动面向等离子体结构。该可移动等离子体限制结构还包括可移动导电结构,该可移动导电结构设置于可移动面向等离子体结构的外部且配置与所述可移动面向等离子体结构作为单个装置展开和收缩以促进该衬底的处理。可移动导电结构在等离子体处理中射频(RF)接地。在等离子体处理中可移动面向等离子体结构配置于等离子体和可移动导电结构之间以便在等离子体处理中来自于等离子体的RF流经由面向等离子体结构流向可移动导电结构。 |
申请公布号 |
CN102246603B |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN200980150203.6 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
艾利克·哈德森;安德里亚斯·费舍尔 |
分类号 |
H05H1/24(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/24(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
周文强;李献忠 |
主权项 |
一种配置用于在衬底的等离子体处理中限制等离子体处理室中的等离子体的可移动等离子体限制结构,包括:配置用于环绕所述等离子体的可移动面向等离子体结构;和可移动导电结构,其设置于所述可移动面向等离子体结构的外部,并配置为与所述可移动面向等离子体结构作为单个装置展开和收缩以促进所述衬底的处理,所述可移动导电结构在所述等离子体处理中为射频(RF)接地,其中在所述等离子体处理中所述可移动面向等离子体结构设置于所述等离子体和所述可移动导电结构之间,以便在所述等离子体处理中来自于所述等离子体的RF流经由所述可移动面向等离子体结构流向所述可移动导电结构。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |