一种缓冲型衬底结构及其上的侧向外延生长方法

摘要

本发明提供一种侧向外延生长的方法，解决了传统外延技术生长晶体材料缺陷较多，晶体质量不易提升，外延层与基底材料间应力过大的问题，又避免了传统侧向外延生长过程工艺控制过程复杂，良率低的问题。该方法先在平片衬底上外延生长第一外延层；之后使用图形化衬底的处理工艺对外延后的衬底进行处理得到包含第一外延层的图形化衬底结构；之后对处理过的衬底进行传统的外延退火处理后即可进行后续的外延工艺生长。该方法工序简单，成本较低，可以明显减少位错，改善外延生长质量并降低衬底材料和外延层晶格失配产生的应力，为后续的外延生长提供低位错的基础而有利于后期器件制备，可以提高器件性能，延长器件寿命。

主权项

一种用于侧向外延生长的缓冲型衬底结构，包括平片衬底，其特征在于：所述平片衬底上生长有第一外延层，该第一外延层与后续外延材料为相同的晶体结构；所述平片衬底及其上生长的第一外延层整体经过了图形化处理形成有保留部分第一外延层的图形化衬底结构。