| 发明名称 | 低硅沸石的中孔隙率的引入 | ||
| 摘要 | 本文公开了中孔X沸石和中孔A沸石及其制备方法。这类中孔沸石可以通过使原始沸石与酸和成中孔剂接触来制备。原始沸石的骨架硅比铝含量可以为约1至约2.5。另外，这类中孔沸石的直径为<img file="DDA0000502987950000011.GIF" wi="138" he="56" />至<img file="DDA0000502987950000012.GIF" wi="160" he="64" />的中孔总体积可以为至少0.05cc/g。 | ||
| 申请公布号 | CN103930369A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201380003810.6 | 申请日期 | 2013.01.14 |
| 申请人 | 瑞弗科技有限公司 | 发明人 | 李坤浩;哈维尔·加西亚-马丁内斯;迈克尔·G·比弗 |
| 分类号 | C01B39/02(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I | 主分类号 | C01B39/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐;安佳宁 |
| 主权项 | 形成包含中孔沸石的材料的方法，所述方法包括：(a)使原始沸石与成中孔剂接触，由此形成包含所述原始沸石和所述成中孔剂的第一处理混合物；并且(b)在所述第一处理混合物中引入酸，由此形成包含所述中孔沸石、所述成中孔剂和所述酸的第二处理混合物，其中所述原始沸石的骨架硅与铝的比(“Si/Al”)为约1至约2.5。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||