发明名称 | 发光器件 | ||
摘要 | 本发明实施方案的发光器件包括:包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构;电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极;电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二电极;布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部;以及布置在第一接触部周围以使第一接触部与第二导电半导体层绝缘的绝缘离子注入层。 | ||
申请公布号 | CN103928585A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
申请号 | CN201410016144.6 | 申请日期 | 2014.01.14 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
分类号 | H01L33/36(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
主权项 | 一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及在所述有源层之下的第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极电连接到所述第一导电半导体层并且设置在所述发光结构之下;第二电极,所述第二电极电连接到所述第二导电半导体层并且设置在所述发光结构之下;第一接触部,所述第一接触部设置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和接触所述第一导电半导体层的顶表面的第二区域;以及绝缘离子注入层,所述绝缘离子注入层设置在所述第一接触部周围以使所述第一接触部绝缘于所述第二导电半导体层。 | ||
地址 | 韩国首尔 |