发明名称 |
异质接合双极性电晶体、使用其之功率放大器、及异质接合双极性电晶体之制造方法;HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, POWER AMPLIFIER INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR |
摘要 |
本发明能在防止热失控的同时,亦防止高温下功率放大特性的恶化。异质接合双极性电晶体100,具备镇流电阻层7。镇流电阻层7,具备AlGaAs射极镇流电阻层7a与AlGaAs射极镇流电阻层7b,所述AlGaAs射极镇流电阻层7a在第一温度区域(室温~100℃)以及第二温度区域(100℃以上)具有正电阻率温度系数,所述AlGaAs射极镇流电阻层7b在第一温度区域内具有负电阻率温度系数,在第二温度区域内具有正电阻率温度系数。 |
申请公布号 |
TW201428963 |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
TW102139057 |
申请日期 |
2013.10.29 |
申请人 |
村田制作所股份有限公司 |
发明人 |
大部功;梅本康成;黑川敦 |
分类号 |
H01L29/73(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>阎启泰</name><name>林景郁</name> |
主权项 |
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地址 |
MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 日本 |