发明名称 异质接合双极性电晶体、使用其之功率放大器、及异质接合双极性电晶体之制造方法;HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, POWER AMPLIFIER INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
摘要 本发明能在防止热失控的同时,亦防止高温下功率放大特性的恶化。异质接合双极性电晶体100,具备镇流电阻层7。镇流电阻层7,具备AlGaAs射极镇流电阻层7a与AlGaAs射极镇流电阻层7b,所述AlGaAs射极镇流电阻层7a在第一温度区域(室温~100℃)以及第二温度区域(100℃以上)具有正电阻率温度系数,所述AlGaAs射极镇流电阻层7b在第一温度区域内具有负电阻率温度系数,在第二温度区域内具有正电阻率温度系数。
申请公布号 TW201428963 申请公布日期 2014.07.16
申请号 TW102139057 申请日期 2013.10.29
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 大部功;梅本康成;黑川敦
分类号 H01L29/73(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/73(2006.01)
代理机构 代理人 <name>阎启泰</name><name>林景郁</name>
主权项
地址 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. 日本