发明名称 CeO<sub>2</sub>系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种CeO<sub>2</sub>系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法,该体系材料的配方为:CeO<sub>2</sub>+<i>a</i>Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>+<i>b</i>K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>+<i>c</i>D+<i>d</i>M+<i>e</i>Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,其中,<i>a,b</i>=0.01~0.30;D为添加元素,是Nb、Sb、La等中的至少一种元素,其含量<i>c=</i>0.0003~0.01;M为Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SiO<sub>2</sub>中的至少一种,含量<i>d</i>=0~0.03;Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>含量<i>e</i>=0.10~0.80。该材料以传统的陶瓷工艺制备,在流动氮气中950~1200℃烧结10~120分钟制得。该新型陶瓷材料的PTC效应明显,升阻比达到10<sup>4</sup>,电阻非线性系数在20%/℃以上,性能接近传统的BaTiO<sub>3</sub>系PTCR热敏电阻陶瓷材料。
申请公布号 CN103922741A 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN201410110313.2 申请日期 2014.03.24
申请人 上海大学 发明人 朱兴文;刘怡茵;张甜甜;王生伟;朱欣然;沈思月;姜文中;周晓
分类号 C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/50(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种CeO<sub>2</sub>系PTCR热敏陶瓷材料,其特征在于该材料的主要成分是含有Na、K、Ce、Bi金属元素,具体的材料配方为:CeO<sub>2</sub>+<i>a</i>Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>+<i>b</i>K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>+<i>c</i>D+<i>d</i>M+<i>e</i>Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,其中,<i>a, b</i>=0.01~0.30;D为微量添加元素,是Nb、Sb、La中的至少一种元素,其含量<i>c=</i> 0.0003~0.01;M为添加剂,是Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或SiO<sub>2</sub>,其含量<i>d</i>=0~0.03;Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为烧结助剂,含量<i>e</i>=0.10~0.80。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号