发明名称 |
差共模一体电感 |
摘要 |
本实用新型涉及电感技术领域,提供了一种差共模一体电感,包括2个E形磁芯,所述每个E形磁芯包括一底柱,从底柱上延伸出两侧的边柱以及中间的中柱;所述2个E形磁芯开口相对设置,E形磁芯两侧的边柱对接成一体;在所述对接后的E形磁芯的两侧的边柱上分别套装有一空心线圈;所述2个E形磁芯的中柱的长度小于两侧的边柱的长度,边柱对接后形成中柱之间的气隙。本实用新型既减少了元器件的体积,差模和共模电感一体,又能满足全电压范围输入的安规要求。 |
申请公布号 |
CN203721415U |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201420006394.7 |
申请日期 |
2014.01.06 |
申请人 |
伍尔特电子(深圳)有限公司;伍尔特电子(重庆)有限公司 |
发明人 |
萧静介 |
分类号 |
H01F17/04(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I;H01F3/14(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01F17/04(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 |
代理人 |
宋鹰武;沈祖锋 |
主权项 |
一种差共模一体电感,其特征在于,包括2个E形磁芯,所述每个E形磁芯包括一底柱,从底柱上延伸出两侧的边柱以及中间的中柱;所述2个E形磁芯开口相对设置,E形磁芯两侧的边柱对接成一体; 在所述对接后的E形磁芯的两侧的边柱上分别套装有一空心线圈;所述2个E形磁芯的中柱的长度小于两侧的边柱的长度,边柱对接后形成中柱之间的气隙。 |
地址 |
518172 广东省深圳市龙岗区五联社区协平村爱联工业园伍尔特电子 |