| 发明名称 | 铟靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供成膜速度大且初始放电电压小、而且自溅射开始至结束的成膜速度和放电电压稳定的铟靶及其制造方法。对于该铟靶，由靶的截面方向观察的晶粒的长宽比(长度方向的长度/宽度方向的长度)为2.0以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102782180B | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201180002734.8 | 申请日期 | 2011.07.07 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 远藤瑶辅;坂本胜 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孙秀武;高旭轶 |
| 主权项 | 铟靶，其中，由靶的截面方向观察的晶粒的长宽比、即长度方向的长度/宽度方向的长度为1.0～2.0，平均晶体粒径为1‑20 mm，选自Cu、Ni和Fe中的1种或2种以上的浓度合计为100 wtppm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||