发明名称 超低阻値电阻
摘要 一种超低阻值电阻,用以改善已知超低阻值电阻之生产良率过低的问题,该超低阻值电阻系包含:一基板,具有二端部及形成于该二端部之间的一封装区域,该封装区域外周包覆一封装体,该二端部分别暴露于该封装体外部,且各自结合一导电层,该封装体包含至少一雷射切削表面。
申请公布号 TWM482234 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW102214931 申请日期 2013.08.08
申请人 蔡宜兴 发明人 蔡宜兴
分类号 H05K1/16 主分类号 H05K1/16
代理机构 代理人 陈启舜 高雄市苓雅区中正一路284号12楼
主权项 一种超低阻值电阻,包含:一基板,具有二端部及形成于该二端部之间的一封装区域,该封装区域外周包覆一封装体,该二端部分别暴露于该封装体外部,且各自结合一导电层,该封装体包含至少一雷射切削表面。
地址 高雄市苓雅区建民路140号6楼之3 TW 6F.-3, NO. 140, JIANMIN RD., LINGYA DIST., KAOHSIUNG CITY 802, TAIWAN (R. O. C.)