依电浆ＣＶＤ法所得之含矽膜形成用有机矽烷化合物及含矽膜之成膜方法

摘要

本发明的解决手段为一种依电浆CVD法所得之含矽膜形成用有机矽烷化合物，其系含有以含Cp-O-Cq(惟，p、q表示碳数，2≦p≦6、2≦q≦6，在各碳链中不含有与氧原子共轭的不饱和键)键结之碳数4～8的直链状或支链状的含氧烃链所键结的2个以上之矽原子，而且该2个以上之矽原子皆具有1个以上之氢原子或碳数1～4的烷氧基。;本发明的效果为：虽然以往欲提高疏水性时，会牺牲成膜速度，但若藉由本发明之电浆CVD法所得之含矽膜形成用有机矽烷化合物，除了可确保膜的疏水性与介电率特性之外，更可抑制成膜速度的降低。;又，藉由利用本发明之依电浆CVD法的含矽膜之成膜方法当作多层配线绝缘膜的成长方法，可安定地制造配线信号延迟少的半导体积体电路。

主权项

一种依电浆CVD法所得之含矽膜形成用有机矽烷化合物，其特征系含有以含Cp-O-Cq(惟，p、q表示碳数，2≦p≦6、2≦q≦6，在各碳链中不含有与氧原子共轭的不饱和键)键结之碳数4~8的直链状或支链状的含氧烃链所键结的2个以上之矽原子，而且该2个以上之矽原子皆键结至1个以上之氢原子或碳数1~4的烷氧基。