发明名称 半导体装置,电子装置,和半导体装置的制造方法
摘要 本发明的目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造方法。此外,另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。
申请公布号 TWI445178 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW098135099 申请日期 2006.01.17
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 伊佐敏行;森末将文;川俣郁子
分类号 H01L29/786;G02F1/13;G09F9/30 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包含:薄膜电晶体,其包含半导体层,和电连接到该半导体层的导电层,该导电层左右弯曲,其中该半导体层包含氧化锌,和其中该薄膜电晶体为多闸构造。
地址 日本