肖特基二极体及其制备方法

摘要

一种肖特基二极体，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层之电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层之电连接为欧姆接触，其中，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中之复数个奈米碳管。本发明还涉及所述肖特基二极体之制备方法。

主权项

一种肖特基二极体，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层之电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层之电连接为欧姆接触，其改良在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中之复数个奈米碳管。