半导体装置及其制造方法

摘要

为了使藉由与闸极长方向平行形成多数条沟渠而增大每单位面积之闸极宽的高驱动能力横型MOS，不用增加元件面积就可更提高驱动能力，本发明之半导体装置具有：第一导电型半导体之阱区域，被设置成从半导体基板表面具有一定深度；和多数条沟渠，从上述阱区域之表面到达至途中之深度；和闸极绝缘膜，被设置在上述沟渠所形成之凹凸部之表面；和闸极电极，被埋入至上述沟渠内部；和闸极电极膜，在除上述沟渠之两端附近的上述凹凸部之区域中，与被埋入至上述沟渠内部之闸极电极接触而被设置在基板表面；和闸极电极膜，与上述闸极电极膜接触而以其表面位于较半导体基板表面深的位置之方式被埋入于上述沟渠两端附近之沟渠内部；源极区域及汲极区域，属于从不与上述闸极电极膜接触之半导体面被设置成较上述阱区域之深度浅的两个低电阻第二导电型半导体层。

主权项

一种半导体装置，其特征为：具有高电阻第一导电型半导体之阱区域，被设置成从半导体基板表面具有一定深度；和多数条沟渠，从上述阱区域之表面到达至途中之深度；和闸极绝缘膜，被设置在上述沟渠所形成之凹部及凸部之表面；和第1闸极电极，被埋入至上述沟渠之内部；和第2闸极电极，在除上述沟渠之两端附近的上述凹部及凸部之区域中，与上述第1闸极电极接触而被设置在上述半导体基板表面；和第3闸极电极，与上述第1闸极电极及上述第2闸极电极接触而以其表面位于较上述半导体基板表面深的位置之方式被埋入于上述沟渠两端附近之沟渠内部；和源极区域及汲极区域，属于从不与上述第3闸极电极接触之半导体面在上述沟渠之上述凹部之侧面系被设置成较上述沟渠之上述凸部之表面深，并且被设置成较上述阱区域之深度浅的低电阻第二导电型半导体层。