发明名称 半导体封装结构及其制程
摘要 一种半导体封装制程,包括:配置封装母板于载具上,封装母板具有立于其上的格栅墙,且格栅墙在封装母板上定义出多个凹部;分别接合多个第一晶片至封装母板的所述多个凹部,其中每一第一晶片内具有多个穿矽导孔;形成第一底胶于每一第一晶片与相应的封装母板之间;形成披覆层于载具上;由载具上方来薄化披覆层以及格栅墙,直至位于格栅墙上方以及第一晶片上方的披覆层被完全移除;接合多个第二晶片至所述多个第一晶片;形成第二底胶于每一第二晶片与相应的第一晶片之间;以及,分离载具与封装母板,并且裁切封装母板,以获得多个封装单元。
申请公布号 TWI445104 申请公布日期 2014.07.11
申请号 TW099128498 申请日期 2010.08.25
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工出口区经三路26号 发明人 陈仁川;张惠珊;张文雄;张唯农
分类号 H01L21/56;H01L23/28;H01L25/04 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体封装制程,包括:配置一封装母板于一载具上,该封装母板具有远离该载具的一承载面以及立于该承载面上的一格栅墙,该格栅墙以及该承载面共同定义出多个凹部;分别接合多个第一晶片至该封装母板的该些凹部,每一第一晶片内具有多个穿矽导孔;形成一第一底胶于每一第一晶片与相应的该封装母板之间;形成一披覆层于该载具上,该披覆层覆盖该封装母板的该格栅墙、该第一底胶以及该些第一晶片,以在该载具的上方提供一平坦表面;由该载具上方的该平坦表面来薄化该披覆层以及该格栅墙,直至位于该格栅墙上方以及该些第一晶片上方的该披覆层被完全移除;暴露出每一第一晶片内的该些穿矽导孔的一端;接合多个第二晶片至该些第一晶片;形成一第二底胶于每一第二晶片与相应的该第一晶片之间;分离该载具与该封装母板;以及裁切该封装母板,以获得多个封装单元,其中该封装母板被裁切为多个封装基材。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号