Bindungsverfahren für Wafer und Struktur der Bindungsstelle

摘要

An der Oberfläche von Wafer 1 wird eine Festklebeschicht 4 gebildet, auf diese Festklebeschicht 4 wird eine Diffusionsverhinderungsschicht 7 aus einem Material geschichtet, das von AuSn schlecht benetzbar ist. Vom Rand der Diffusionsverhinderungsschicht 7 nach innen versetzt wird an der Oberfläche der Diffusionsverhinderungsschicht 7 eine Klebeschicht 8 ausgebildet, und an der Oberfläche des Wafers 1 wird eine Bindungsstelle 3 ausgeformt. An der Unterseite von Wafer 11 ist eine Bindungsstelle 13 vorgesehen, unter der Bindungsstelle 13 ist eine AuSn Lötzinnschicht 19 vorgesehen. Wafer 1 und Wafer 11 werden einander gegenübergestellt, AuSn Lötzinn 19 wird geschmolzen, und Bindungsstelle 3 und Bindungsstelle 13 werden durch AuSn Lötzinn 22 eutektisch miteinander verbunden.