Einebnung eines Materialsystems in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung eines nicht-selektiven in-situ zubereiteten Schleifmittels

摘要

Verfahren zum Einebnen einer Oberfläche eines Halbleiterbauelements in Anwesenheit mindestens zweier unterschiedlicher dielektrischer Materialien, wobei die mindestens zwei unterschiedlichen dielektrischen Materialien Siliziumoxid und Siliziumnitrid umfassen, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer ersten Lösung in einer Fertigungsumgebung, wobei die erste Lösung einen ersten pH-Wert aufweist und abreibende Teilchen enthält; Bereitstellen einer zweiten Lösung in der Fertigungsumgebung, wobei die zweite Lösung eine Säure enthält; Erzeugen einer Schleifmittellösung in der Fertigungsumgebung aus mindestens der ersten und der zweiten Lösung, wobei die Schleifmittellösung einen zweiten pH-Wert besitzt, der kleiner ist als der erste pH-Wert, wobei der zweite pH-Wert zu einer Annäherung von Abtragsraten der mindestens zwei unterschiedlichen dielektrischen Materialien bei einem gegebenen Anteil für die abreibenden Teilchen in der Schleifmittellösung führt, so dass eine Ausgewogenheit der Abtragsraten eingestellt wird, durch Einstellung des zweiten pH-Werts auf einen Wert zwischen 6,5 und 8 eines Anteils der abreibenden Teilchen auf einen Wert zwischen 6 Gewichtsprozent und 9 Gewichtsprozent; und Ausführen eines Einebnungsprozesses in der Fertigungsumgebung unter Anwendung der in der Fertigungsumgebung erzeugten Schleifmittellösung.