锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构

摘要

本发明公开了一种锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构，包括锗硅多晶硅环，并在锗硅多晶硅环的相邻边上设置有和其变垂直相交的多根多晶硅条，在多晶硅条和锗硅多晶硅环上设置多个接触孔并分别引出锗硅多晶硅环和多晶硅条。本发明通过分别测试锗硅多晶硅环和各多晶硅条间的漏电流，能够判断各多晶硅条是否在对应的接触孔处和锗硅多晶硅环是否形成短路，从而能够实现在硅片允收测试阶段有效监控发射极多晶硅光刻、刻蚀是否存在偏差而造成基极锗硅和发射极多晶硅间的漏电或短路。本发明通过对各接触孔的不同边缘距离的设置，能够有效监控发射极多晶硅光刻、刻蚀的在各方向的实际偏差的大小。

主权项

一种锗硅工艺中监控发射极和基极因接触孔而串通的测试结构，其特征在于，测试结构形成于硅基板的场氧上，包括多个相同的测试单元，各所述测试单元包括一锗硅多晶硅环和多个多晶硅条；所述锗硅多晶硅环和锗硅工艺中的基极锗硅相同，所述多晶硅条和锗硅工艺中的发射极多晶硅相同；所述锗硅多晶硅环形成于所述硅基板的场氧上且为由多个锗硅多晶硅条首尾相连组成的环状结构；所述锗硅多晶硅环的环状结构的内边和外边为多边形或圆形；所述多晶硅条包括一根或多根第一多晶硅条，所述第一多晶硅条和所述锗硅多晶硅环的一根或多根的锗硅多晶硅条垂直相交、且和每一根所述锗硅多晶硅条垂直相交的所述第一多晶硅条为一根或相互平行的多根，所述第一多晶硅条的相交部分位于所述锗硅多晶硅环上且只覆盖部分所述锗硅多晶硅环的宽度、所述第一多晶硅条的非相交部分位于所述场氧上；在所述第一多晶硅条和所述锗硅多晶硅环间形成有介质隔离膜；在各所述第一多晶硅条的相交部分上形成有一个或多个第一接触孔阵列，在各所述第一接触孔中填充有金属并分别和第一铝线相连接，各所述第一铝线分别引出各所述第一多晶硅条并形成有测试端口；所述多晶硅条还包括一根或多根第二多晶硅条，所述第二多晶硅条和所述锗硅多晶硅环的另外的一根或多根的锗硅多晶硅条垂直相交、且和每一根所述锗硅多晶硅条垂直相交的所述第二多晶硅条为一根或相互平行的多根，所述第二多晶硅条的相交部分位于所述锗硅多晶硅环上且完全覆盖所述锗硅多晶硅环的宽度、所述第二多晶硅条的非相交部分位于所述场氧上；在所述第二多晶硅条和所述锗硅多晶硅环间形成有介质隔离膜；在各所述第二多晶硅条的非相交部分上形成有一个或多个第二接触孔阵列，在各所述第二接触孔中填充有金属并和第二铝线相连接，各所述第二铝线分别引出各所述第二多晶硅条并形成有测试端口；在各所述第二多晶硅条的相交部分上分别形成有一个露出所述锗硅多晶硅环的孔，在各所述锗硅多晶硅环的露出部分分别形成有一个或多个第三接触孔阵列，在未与所述多晶硅条相交的所述锗硅多晶硅环上也形成有第四接触孔，在所述锗硅多晶硅环上的所有所述第三接触孔和所述第四接触孔中填充有金属并和第三铝线相连接，所述第三铝线引出所述锗硅多晶硅环并形成有测试端口。