基于相变量子点的存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种基于相变量子点的存储器件及其制备方法，其中基于相变量子点的存储器件包括半导体衬底、隧穿层、相变量子点薄膜层、阻挡层、第一电极以及第二电极。隧穿层设置于半导体衬底。相变量子点薄膜层设置于隧穿层，相变量子点薄膜层包括相变量子点，相变量子点可通过俘获隧穿电荷以及晶态和非晶态间的可逆转变来实现信息存储。阻挡层设置于所述相变量子点薄膜层，阻挡层可阻挡相变量子点俘获的电荷进入第一电极。第一电极给阻挡层供电。第二电极给半导体衬底供电。

主权项

一种基于相变量子点的存储器件，其特征在于，包括：半导体衬底；隧穿层，设置于所述半导体衬底；相变量子点薄膜层，设置于所述隧穿层，所述相变量子点薄膜层经退火后形成相变量子点，所述相变量子点在不同的外部能量下具有晶态和非晶态两种状态，且所述晶态和非晶态间的变化是可逆变的，所述相变量子点通过俘获隧穿电荷以及晶态的转变来实现信息存储；阻挡层，设置于所述相变量子点薄膜层，所述阻挡层阻挡所述相变量子点俘获的电荷进入第一电极；第一电极，给所述阻挡层供电；第二电极，给所述半导体衬底供电。