发明名称 |
基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法 |
摘要 |
基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法,涉及一种用于制作微纳器件的三层结构材料。采用阳极键合将硅片与第1玻璃片键合得硅/第1玻璃组合片;采用磁控溅射法在硅/第1玻璃组合片的双面溅射金属得覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构;采用机械磨削法去除覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构靠近硅片一侧表面的金属,采用化学机械抛光法抛光裸露的硅片表面,加工后硅/第1玻璃组合片的第1玻璃片表面及侧壁覆盖有金属;将硅/第1玻璃组合片以及第2玻璃片置于键合机中,硅/第1玻璃组合片覆盖金属的第1玻璃片一侧连接键合机正极,正电压通过金属电极连接至硅片,第2玻璃片连接键合机负极,采用阳极键合加工得产物。 |
申请公布号 |
CN102642808B |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201210145546.7 |
申请日期 |
2012.05.11 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
吕文龙;占瞻;左文佳;杜晓辉;苏源哲;王凌云;孙道恒 |
分类号 |
B81C3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C3/00(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)采用阳极键合技术将硅片与第1玻璃片键合,得到硅/第1玻璃组合片;2)采用磁控溅射法,在步骤1)所得的硅/第1玻璃组合片的双面溅射金属,得到覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构;3)采用机械磨削法去除步骤2)所得的覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构靠近硅片一侧表面的金属,并采用化学机械抛光法抛光裸露的硅片表面,加工后硅/第1玻璃组合片的第1玻璃片表面以及侧壁覆盖有金属;4)将硅/第1玻璃组合片以及第2玻璃片置于键合机中,硅/第1玻璃组合片覆盖金属的第1玻璃片一侧连接键合机正极,正电压通过金属电极连接至硅片,第2玻璃片连接键合机负极,采用常规阳极键合条件,加工得到基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |