发明名称 一种对闪存进行重读操作的方法及装置
摘要 本发明公开了一种对闪存进行重读操作的方法及装置,该方法包括:S10、在针对闪存的一个存储页进行读取操作时,对存储页的所有扇区按第一组预设读取参数进行第一次读取操作,并将读取的数据传送给主机进行保存;S20、在第一次读取操作过程中,若有该存储页的扇区读取错误,则记录读取错误的扇区的读取错误状态,并在该第一次读取操作完毕时,对该存储页的所有扇区按第二组预设读取参数进行第二次读取操作,并将从该存储页的读取错误状态扇区读取的数据传送给主机;S30、在针对该存储页的第二次读取操作及随后进行的每一次读取操作过程中,若有该存储页的扇区读取错误,则按照不同的预设读取参数重复执行上述步骤S20。采用本发明可提高闪存的读取效率。
申请公布号 CN103914358A 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN201410132315.1 申请日期 2014.04.03
申请人 深圳市硅格半导体有限公司 发明人 许智鑫;吴大畏;陈寄福
分类号 G06F11/10(2006.01)I 主分类号 G06F11/10(2006.01)I
代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人 胡海国;周鲜艳
主权项 一种对闪存进行重读操作的方法,其特征在于,该方法包括:S10、在针对闪存的一个存储页进行读取操作时,对该存储页的所有扇区按第一组预设读取参数进行第一次读取操作,并将读取的数据传送给主机进行保存;S20、在所述第一次读取操作过程中,若有该存储页的扇区读取错误,则记录读取错误的扇区的读取错误状态,并在所述第一次读取操作完毕时,对该存储页的所有扇区按第二组预设读取参数进行第二次读取操作,并将从该存储页的读取错误状态扇区读取的数据传送给主机,以使得该主机更新对应扇区的数据;S30、在针对该存储页的第二次读取操作及随后进行的每一次读取操作过程中,若有该存储页的扇区读取错误,则按照不同的预设读取参数重复执行上述步骤S20,直到该存储页的所有扇区读取正确或者所有预设读取参数对应的读取操作执行完毕。
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