| 发明名称 | 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P-GaN盖层；步骤5：在P-GaN盖层上生长一p-GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。本发明是利用金属的核壳结构的等立体增强绿光发光二极管的内量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102623588B | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201210093564.5 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱层和p‑GaN耦合层；步骤3：在p‑GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米金属层上生长一P‑GaN盖层；步骤5：在P‑GaN盖层上生长一p‑GaN电流扩展层，完成外延结构的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||