驱动激光二极管的方法

摘要

本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。

主权项

一种驱动激光二极管的方法，其包括利用比阈值电压值高2倍以上的脉冲电压驱动所述激光二极管的步骤，所述激光二极管包括由第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层、第二化合物半导体层构成的层叠结构体，还包括与所述第一化合物半导体层电连接的第一电极以及与所述第二化合物半导体层电连接的第二电极，所述层叠结构体由AlGaInN基化合物半导体制成，其特征在于，所述第二化合物半导体层掺杂有1×10¹⁹cm^‑3以上的Mg，并且所述第二化合物半导体层对405nm波长的光的吸收系数至少是50cm^‑1。