发明名称 利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法
摘要 本发明公开了一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法,包括如下步骤:得到芯片制备中某个图层的可填充区域;预设一组图形密度不等的填充图形;等分为多个小块区域,设定在填充后图层的图形密度,小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值;计算上述各小块区域初始的图形密度值;计算填入的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值;采用虚拟图形填充的方法调整每个小块区域的图形密度;对各小块区域中的可填充区域进行填充,使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。本发明的方法,改善了填充后的局部区域图形密度的均一性。
申请公布号 CN102468134B 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN201010545835.7 申请日期 2010.11.16
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 陈福成
分类号 H01L21/02(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种利用冗余图形填充来调整芯片图形密度的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)根据填充规则,得到芯片制备中某个图层的可填充区域;(2)预设一组图形密度不等的填充图形;(3)将所述图层等分为多个小块区域,根据工艺要求,设定在填充完成后所述图层的图形密度要求,所述小块区域的最小图形密度值、最大图形密度值和相邻两个小块区域间的最大图形密度差值(GRA);(4)计算上述各小块区域初始的图形密度值(CD0);(5)计算在上述各小块区域的可填充区域中,填入步骤(2)中所设定的图形密度最大的填充图形后的小块区域的图形密度值(CM);(6)根据步骤(4)中计算的各小块区域的图形密度值(CD0)、步骤(5)中计算的各小块区域的图形密度值(CM)以及两者的之间的图形密度差值,采用虚拟图形填充的方法依次调整每个小块区域的图形密度,使前后两次调整后各小块区域的图形密度的差值小于预定数值,且整个图层最终图形密度在步骤(3)所设定的范围内;(7)用步骤(2)中预设的填充图形,对各小块区域中的可填充区域进行填充,使填充后小块区域的图形密度值与步骤(6)所调整出的图形密度值最接近。
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