| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 用于制造半导体器件的本方法包括：制备衬底(10)的步骤；形成栅极绝缘膜(20)的步骤；形成栅电极(30)的步骤；形成包围栅电极(30)的层间绝缘膜(40)的步骤；形成穿过层间绝缘膜(40)并且暴露衬底(10)的主表面(10A)的接触孔的步骤；形成第一金属膜(51)的步骤，第一金属膜(51)与接触孔的侧壁表面接触，包含Ti和/或Si并且不包含Al；形成与第一金属膜(51)接触并且包含Ti、Al以及Si的第二金属膜(52)的步骤；以及通过加热第一和第二金属膜(51，52)形成包含Ti、Al以及Si的源电极的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN103918062A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201280054324.2 | 申请日期 | 2012.11.01 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 堀井拓 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备由碳化硅制成的衬底(10)；在所述衬底(10)的表面(10A)上形成栅极绝缘膜(20)；在所述栅极绝缘膜(20)上形成栅电极(30)；在所述栅极绝缘膜(20)上形成层间绝缘膜(40)以便包围所述栅电极(30)；形成接触孔(80)，所述接触孔(80)延伸通过所述层间绝缘膜(40)以暴露所述衬底(10)的所述表面(10A)并且与所述栅电极(30)分离；在所述接触孔(80)的侧壁表面(80A)上并且与所述接触孔(80)的所述侧壁表面(80A)接触地形成第一金属膜(51)，所述第一金属膜(51)包含Ti和Si中的至少一种并且不包含Al；在所述第一金属膜(51)上并且与所述第一金属膜(51)接触地形成包含Ti、Al以及Si的第二金属膜(52)；并且通过加热所述第一和第二金属膜(51，52)形成包含Ti、Al以及Si的源电极(50)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||