| 发明名称 | 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。 | ||
| 申请公布号 | CN103910885A | 申请公布日期 | 2014.07.09 |
| 申请号 | CN201310718120.0 | 申请日期 | 2013.12.23 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社 | 发明人 | 裴镇希;李汉松;郭泽秀;金古恩;金补宣;金相均;罗隆熙;朴银秀;徐珍雨;宋炫知;林相学;任浣熙;洪承希;黄丙奎 |
| 分类号 | C08G77/62(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;张英 |
| 主权项 | 一种制备间隙填充剂的方法，包括：将卤代硅烷注入碱性溶剂；和以1g/hr至15g/hr的速度加入基于100重量份所述卤代硅烷的50重量份至70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||