发明名称 半导体装置
摘要 根据一个实施例,半导体装置包括:基板;设置于基板上的有机绝缘膜;形成于该有机绝缘膜上的比该有机绝缘膜薄的无机绝缘膜;中空密封结构,其被形成于无机绝缘膜上,并且将MEMS元件密封于其里面,同时保证中空密封结构自身和MEMS元件之间的空间;被形成用以贯通有机绝缘膜和无机绝缘膜的贯通孔;导电构件,其被充填入贯通孔内,并且电连接MEMS元件和通过被充填入贯通孔内而形成的电极。
申请公布号 CN102190279B 申请公布日期 2014.07.09
申请号 CN201110057139.6 申请日期 2011.03.03
申请人 株式会社东芝 发明人 小幡进;十河敬宽;浅野佑策;宫城武史
分类号 B81B7/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 蔡胜利
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:驱动器IC;设置于所述驱动器IC上的有机绝缘膜;无机绝缘膜,其形成于所述有机绝缘膜上,比所述有机绝缘膜薄;中空密封结构,其形成于所述无机绝缘膜上,并且将MEMS元件中空地密封于其内部;贯通孔,其被形成为贯通所述有机绝缘膜和所述无机绝缘膜,以及导电构件,其被充填入所述贯通孔,并且将所述驱动器IC和所述MEMS元件相互电连接。
地址 日本东京都
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