半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：所述离子注入所进行的半导体衬底上具有突出的栅极结构，且在所述半导体衬底上形成有多晶硅层；所述离子注入的方法包括：对所述多晶硅层进行离子注入；进行预退火工艺，使得所述注入的离子聚集在所述多晶硅层与半导体衬底的分界面上的多晶硅层中；进行退火工艺，使得聚集在所述分界面上的离子扩散到所述半导体衬底中；所述预退火工艺的温度小于所述退火工艺的温度。所述预退火，使得注入的离子扩散到多晶硅和半导体衬底的交界面处，使得注入的离子都处于同一平面上，然后再进行温度较高的退火，使得注入的离子扩散到半导体衬底中，且保证离子扩散的均匀性，形成边界齐平的掺杂区。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成至少两个相邻的栅极，所述栅极自下而上依次包括栅介质层、栅电极层与绝缘层，以及围绕所述栅介质层、栅电极层与绝缘层的侧墙，相邻栅极的侧墙和所述半导体衬底围成一开口；在所述相邻的栅极和未被栅极覆盖的半导体衬底上沉积多晶硅，形成多晶硅层；去除部分多晶硅层，使剩余多晶硅层覆盖于所述开口的底部和侧壁上；对位于所述开口下方的半导体衬底进行离子注入；进行预退火工艺，使得注入的离子聚集在所述多晶硅层与半导体衬底的分界面上的多晶硅层中；进行退火工艺，使得聚集在分界面处的所述多晶硅中的离子扩散到所述半导体衬底中，形成掺杂区；其中，所述预退火工艺的温度小于所述退火工艺的温度。