| 发明名称 | 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103904109A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310741171.5 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 金子贵昭;砂村润;林喜宏 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述半导体器件具有基础逻辑元件和底栅型晶体管，所述基础逻辑元件形成于衬底之上，所述底栅型晶体管使用形成于铝布线之上的抗反射膜作为栅电极，其中，所述底栅型晶体管形成于在所述基础逻辑元件之上所形成的布线层中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||