| 发明名称 | 四进制电存储材料及其制备和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电存储材料，具体公开了一种四进制电存储材料及其制备和应用，所述四进制电存储材料的化学结构式如下所示：<img file="DDA0000125627080000011.GIF" wi="1270" he="181" />式中，所述R和R<sup>*</sup>选自：<img file="DDA0000125627080000012.GIF" wi="165" he="124" />卤素、硝基或甲氧基中的一种；其中，R<sub>1</sub>选自：C1～C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述四进制电存储材料的应用，本发明成功制得四进制数据存储器件，同时，本发明中所涉及的有机材料合成简单，器件制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”，“1”和“2”三进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。 | ||
| 申请公布号 | CN102437284B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201110444853.0 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 路建美;李华 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I;C07C317/32(2006.01)I;C07C315/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 1.一种四进制电存储材料，其特征在于，所述四进制电存储材料的化学结构通式如下所示：<img file="2011104448530100001DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="407" he="63" />；式中，所述R和R* 分别选自：<img file="2011104448530100001DEST_PATH_IMAGE004.GIF" wi="73" he="59" />、卤素、硝基或甲氧基中的一种；其中，R<sub>1</sub>选自：C1～C6的烷基或苯基中的一种；并且R和R*不同。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 | ||