| 发明名称 | 等离子体刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤：向反应腔室通入制程气体，制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧壁保护制程。其减少了刻蚀过程中侧壁上出现波浪形的形貌，结构简单，实施便利。 | ||
| 申请公布号 | CN103898613A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201210567790.2 | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 王兆祥;梁洁;杨平;李晶 |
| 分类号 | C30B33/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;吕俊清 |
| 主权项 | 一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤：a)、向所述反应腔室通入制程气体，所述制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；b)、在所述反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使所述反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧壁保护制程。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||