| 发明名称 | 一种压电陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高居里温度的压电陶瓷，该压电陶瓷通式为(1-x)(0.35BiYbO<sub>3</sub>-0.65PbTiO<sub>3</sub>)-xPb(Zn<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>，其中x=0.15～0.85。本发明还提供了一种制备该压电陶瓷的方法，利用本发明方法制备的压电陶瓷具有高居里温度（395～432）、较高压电常数（60～94）、较低的介电损耗低（0.006～0.010）及适中的机械品质因数（136.86～149.29）等特点，克服了现有压电材料居里温度和综合压电性能无法同时满足特定指标要求的缺陷。已有性能较好的复合钪酸铋钛酸铅钙钛矿高温压电陶瓷材料需使用价格昂贵的元素钪，而该新体系与其相比具有低得多的价格，是一种很有应用前景的高温压电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103896586A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201210589666.6 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 中国科学院声学研究所 | 发明人 | 郭栋;时亮;廖擎玮 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人 | 杨小蓉;杨青 |
| 主权项 | 一种压电陶瓷，其特征在于，所述的压电陶瓷通式为(1‑x)(0.35BiYbO<sub>3</sub>‑0.65PbTiO<sub>3</sub>)‑xPb(Zn<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>，其中x=0.15～0.85。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区北四环西路21号 | ||