发明名称 |
一种直流电源输入防反灌电路及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种直流电源输入防反灌电路及方法,包括:防反接电路、缓启动电路和采样控制电路,防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET,缓启动电路包含缓启动MOSFET,采样控制电路采样缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压,在缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时,控制防反接MOSFET关断。本发明在输入短路或输入电压快速跌落时避免发生电流反灌,从而可以在DC/DC转换器采用全桥电路时,避免造成转换器副边同步整流MOSFET漏源极电压应力增大,损坏MOSFET;并且,避免在输入口发生反向的雷击浪涌时,出现电流反灌,从而避免模块输入电容掉电,导致的电源输出掉电。 |
申请公布号 |
CN103904620A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201210583448.1 |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
朱厚存;李长远;梁新春;谢长江 |
分类号 |
H02H7/12(2006.01)I;H02H11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02H7/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
王磊;龙洪 |
主权项 |
一种直流电源输入防反灌电路,包括:防反接电路、缓启动电路和采样控制电路,所述防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET,所述缓启动电路包含缓启动MOSFET,所述采样控制电路采样所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压,在所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时,控制所述防反接MOSFET关断。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 |