发明名称 一种直流电源输入防反灌电路及方法
摘要 本发明公开了一种直流电源输入防反灌电路及方法,包括:防反接电路、缓启动电路和采样控制电路,防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET,缓启动电路包含缓启动MOSFET,采样控制电路采样缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压,在缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时,控制防反接MOSFET关断。本发明在输入短路或输入电压快速跌落时避免发生电流反灌,从而可以在DC/DC转换器采用全桥电路时,避免造成转换器副边同步整流MOSFET漏源极电压应力增大,损坏MOSFET;并且,避免在输入口发生反向的雷击浪涌时,出现电流反灌,从而避免模块输入电容掉电,导致的电源输出掉电。
申请公布号 CN103904620A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201210583448.1 申请日期 2012.12.28
申请人 中兴通讯股份有限公司 发明人 朱厚存;李长远;梁新春;谢长江
分类号 H02H7/12(2006.01)I;H02H11/00(2006.01)I 主分类号 H02H7/12(2006.01)I
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 王磊;龙洪
主权项 一种直流电源输入防反灌电路,包括:防反接电路、缓启动电路和采样控制电路,所述防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET,所述缓启动电路包含缓启动MOSFET,所述采样控制电路采样所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压,在所述缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时,控制所述防反接MOSFET关断。
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