| 发明名称 | 低压下的分子粘附键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低压下的分子粘附键合方法，这种至少第一晶片(20)和第二晶片(30)之间的分子粘附键合方法至少包括机械对准步骤、使两个晶片(20，30)相接触的步骤以及在两个晶片之间引发键合波的传播的步骤。在机械对准步骤和使两个晶片相接触的步骤中，所述晶片被置于具有大于或等于预定压强阈值的第一压强(P1)的环境中。在引发键合波的传播的步骤中，所述晶片(20，30)被置于具有小于所述预定压强阈值的第二压强(P2)的环境中。 | ||
| 申请公布号 | CN102376623B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201110229518.9 | 申请日期 | 2011.08.09 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | M·布鲁卡特 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种至少第一晶片(20)和第二晶片(30)之间的分子粘附键合方法，至少包括机械对准步骤、使两个晶片(20，30)相接触的步骤以及在两个晶片之间引发键合波的传播的步骤，其特征在于，在所述机械对准步骤和使两个晶片相接触的步骤中，所述晶片被置于具有大于或等于预定压强阈值的第一压强(P1)的环境中，在引发键合波的传播的步骤中，所述晶片(20，30)被置于具有小于所述预定压强阈值的第二压强(P2)的环境中，所述预定压强阈值为防止在所述机械对准步骤和所述使两个晶片相接触的步骤中引发键合波传播的压强值。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||