III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法

摘要

一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器元件，其特征在于，包括：激光器结构体，包含由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体和被设置在上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；和电极，被设置在上述激光器结构体的上述半导体区域上，上述半导体区域包含：第1包层，由第1导电类型的氮化镓类半导体构成；第2包层，由第2导电类型的氮化镓类半导体构成；以及活性层，被设置在上述第1包层和上述第2包层之间，上述第1包层、上述第2包层以及上述活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓类半导体层，上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴朝向上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴方向相对于上述法线轴以有限的角度ALPHA倾斜，上述激光器结构体包含与由上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴和上述法线轴确定的a‑n面交叉的第1切断面和第2切断面，上述III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1切断面和第2切断面，上述激光器结构体包含第1面和第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述第1切断面和第2切断面分别从上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，上述法线轴和上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度在45度以上且80度以下或者在100度以上且135度以下的范围内。