一种半导体薄膜高温变形传感器

摘要

本发明属于结构与材料变形监测领域，涉及一种半导体薄膜高温变形传感器，由基底层3、绝缘隔离层1、半导体薄膜敏感栅1和信号引出端4构成，所述的半导体薄膜敏感栅3通过信号引出端4连接到与外部测量设备，其特征在于，所述的基底层3上沉积有绝缘隔离层2，所述的半导体薄膜敏感栅1是沉积在绝缘隔离层2上的氧化铟锡薄膜；所述的半导体薄膜敏感栅1迂回弯折，沿被测构件变形方向排布在绝缘隔离层2的表面，其两端分别连接一个信号引出端4。本发明能够准确监测金属构件从室温到600℃范围的变形速率，精度高，测试结果可靠、可重复。装置结构简单，成本低廉，安装方便，不受被测构件外形影响，有很高的工程应用价值。

主权项

一种半导体薄膜高温变形传感器，由基底层（3）、绝缘隔离层（2）、半导体薄膜敏感栅（1）和一对信号引出端（4）构成，所述的半导体薄膜敏感栅（3）通过信号引出端（4）连接到与外部测量设备，其特征在于，所述的基底层（3）上沉积有绝缘隔离层（2），所述的半导体薄膜敏感栅（1）是沉积在绝缘隔离层（2）上的氧化铟锡薄膜；所述的半导体薄膜敏感栅（1）迂回弯折，沿被测构件变形方向排布在绝缘隔离层（2）的表面，其两端分别连接一个信号引出端（4）。