| 发明名称 | 晶圆后段电容电性测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶圆后段电容电性测试结构，包括：从第一金属互连层生长出的第一测试电容板以及从第二金属互连层生长出的第二测试电容板；其中，所述第一金属互连层和所述第二金属互连层平行，并且所述第一金属互连层和所述第二金属互连层之间为电介质；而且，所述第一测试电容板总体朝向所述第二金属互连层伸出，所述第二测试电容板总体朝向所述第一金属互连层伸出，由此使得所述第一测试电容板与所述第二测试电容板在与所述第一金属互连层与所述第二金属互连层平行的方向相垂直的方向上具有重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN103904059A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201410111285.6 | 申请日期 | 2014.03.24 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 莫保章;周波 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种晶圆后段电容电性测试结构，其特征在于包括：从第一金属互连层生长出的第一测试电容板以及从第二金属互连层生长出的第二测试电容板；其中，所述第一金属互连层和所述第二金属互连层平行，并且所述第一金属互连层和所述第二金属互连层之间为电介质；而且，所述第一测试电容板总体朝向所述第二金属互连层伸出，所述第二测试电容板总体朝向所述第一金属互连层伸出，由此使得所述第一测试电容板与所述第二测试电容板在与所述第一金属互连层与所述第二金属互连层平行的方向相垂直的方向上具有重叠。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||