| 发明名称 | 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法，该方法在金属铝层刻蚀后，仅通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。本发明在不改变厚铝刻蚀方法的前提下，通过优化去胶条件，减少了厚铝侧壁聚合物的堆积，从而降低了侧壁聚合物的腰带效应，确保了后续湿法刻蚀后，厚铝侧壁无胶残留；同时，还减少了气体的使用量和去胶时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103904023A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201210572829.X | 申请日期 | 2012.12.25 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郭振华;虞颖 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法，其特征在于，在金属铝层刻蚀后，只通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||