发明名称 一种平面TEM样品制备的方法
摘要 本发明提供一种平面TEM样品制备的方法,所述方法包括:将一所需制备的TEM平面样品放入FIB中,并确定需要研磨的目标位置;使用所述FIB的I-Beam于所述目标位置下方,设置一个纵向E-Beam定位标记;于所述目标位置左右,设置横向E-Beam定位标记;于所述横向E-Beam定位标记的上方处,设置研磨截止标记,此标记与横向E-Beam定位标记错开;于所述研磨截止标记处,设置I-Beam定位标记。通过本发明的方法能够分别在E-Beam与I-Beam下精确定位目标位置,从而确定研磨样品时具体的停止位置,进而提高制备定点平面TEM样品的质量和效率。
申请公布号 CN103900876A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201410106610.X 申请日期 2014.03.20
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 孙蓓瑶
分类号 G01N1/28(2006.01)I 主分类号 G01N1/28(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 吴俊
主权项 一种平面TEM样品制备的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1:将一所需制备的TEM平面样品放入FIB中,并确定需要研磨的目标位置;步骤S2:使用所述FIB于所述目标位置下方,设置一个纵向E‑Beam定位标记;步骤S3:使用所述FIB于所述目标位置左右,分别设置一横向E‑Beam定位标记;步骤S4:使用所述FIB于两个所述横向E‑Beam定位标记的上方处,设置两个研磨截止标记,每个所述研磨截止标记与任意一个所述横向E‑Beam定位标记在竖直方向上均相互错开;步骤S5:使用所述FIB于每个所述研磨截止标记处,均设置一I‑Beam定位标记。
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