发明名称 薄膜晶体管
摘要 一种薄膜晶体管,包括栅极、沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层以及位于沟道层相对的两侧并分别与沟道层相接触的源极和漏极,该沟道层和栅绝缘层之间夹设有一第一原子捕获层。该种薄膜晶体管不易受外界环境影响且具有稳定电学性能。
申请公布号 CN103904125A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201210573688.3 申请日期 2012.12.26
申请人 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 发明人 曾坚信
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种薄膜晶体管,包括栅极、沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层以及位于沟道层相对的两侧并分别与沟道层相接触的源极和漏极,其特征在于:该沟道层和栅绝缘层之间夹设有一第一原子捕获层。
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