光检测装置

摘要

本发明的半导体光检测元件（10）将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管（APD）、相对于各雪崩光电二极管（APD）串联连接的灭弧电阻（R1）、及并联连接有灭弧电阻（R1）的信号线（TL）的光电二极管阵列（PDA）作为一个信道且具有多个信道。搭载基板（20）与各信道对应的多个电极（E9）配置于主面（20a）侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部（SP）配置于主面（20b）侧。在半导体基板（1N）中，在各信道形成有与信号线（TL）电连接的贯通电极（TE）。贯通电极（TE）与电极（E9）经由凸块电极（BE）而电连接。

主权项

一种光检测装置，其特征在于，具备：半导体光检测元件，其具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板；以及搭载基板，其与所述半导体光检测元件相对配置，并且包含与所述半导体基板的所述第二主面相对的第三主面及与该第三主面相对的第四主面，所述半导体光检测元件将光电二极管阵列作为一个信道，且具有多个所述信道，所述光电二极管阵列包含以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管、相对于各所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻、及并联连接有所述灭弧电阻并且配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的信号线，所述搭载基板中，与各所述信道对应的多个第一电极配置于所述第三主面侧，并且与所述多个第一电极电连接且处理来自各所述信道的输出信号的信号处理部配置于所述第四主面侧，在所述半导体基板中，在各所述信道形成有与所述信号线电连接且自所述第一主面侧贯通至所述第二主面侧为止的贯通电极，所述贯通电极与对应于该贯通电极的所述第一电极经由凸块电极而电连接。