| 发明名称 | 基板处理方法和结晶性碳化硅(SIC)基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开一种基板的处理方法，该方法能够防止当将基板退火时在结晶性碳化硅(SiC)基板中出现表面粗糙。还公开一种碳化硅(SiC)基板的制造方法。基板的处理方法的实施方案包括以下步骤：用等离子体照射单晶碳化硅(SiC)基板(1)；和在高温下加热已经用等离子体照射的单晶碳化硅(SiC)基板(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN102422396B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201080020525.1 | 申请日期 | 2010.03.16 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 柴垣真果;佐藤政孝;杉本尚丈 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种结晶性碳化硅(SiC)基板的处理方法，所述方法包括：去除在其中离子注入杂质原子的所述结晶性碳化硅(SiC)基板上形成的氧化物膜的步骤；对于去除所述氧化物膜的所述结晶性碳化硅(SiC)基板，使用包含惰性气体和氟类气体中至少之一的气体进行等离子体照射的步骤；和对于所述经等离子体照射的结晶性碳化硅(SiC)基板进行加热处理从而使注入至所述结晶性碳化硅(SiC)基板的杂质电活化的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||