一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，在去除伪栅极的工艺步骤之前，增加了在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成保护层的工艺。该方法避免了在去除伪栅极的工艺中在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成凹陷，进而避免了在形成金属栅极的工艺中在接触孔刻蚀阻挡层的上方形成金属残留，在一定程度上避免了漏电流的产生，提高了半导体器件的性能。本发明的半导体器件，在接触孔刻蚀阻挡层上方形成有保护层。该半导体器件由于具有保护层，保证了在接触孔刻蚀阻挡层上方不会形成金属残留，在一定程度上避免了漏电流的产生，提高了半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括伪栅极、接触孔刻蚀阻挡层、栅极侧壁和层间介电层；步骤S102：在所述接触孔刻蚀阻挡层的上方形成保护层；步骤S103：去除所述伪栅极。