发明名称 |
发光二极体阵列及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种发光二极体阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极体,所述多个发光二极体之间电连接。所述每个发光二极体包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层。所述连接层能够被硷性溶液蚀刻,所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓,且该底面有裸露的粗化表面。本发明还涉及一种发光二极体阵列的制造方法。 |
申请公布号 |
TWI443818 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW100118039 |
申请日期 |
2011.05.24 |
申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
发明人 |
洪梓健;沈佳辉 |
分类号 |
H01L27/15;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L27/15 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极体阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极体,所述多个发光二极体之间电连接,所述每个发光二极体包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层,其改进在于,所述连接层能够被硷性溶液蚀刻,所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓,且该底面有裸露的粗化表面。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |