发明名称 发光二极体阵列及其制造方法
摘要 本发明涉及一种发光二极体阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极体,所述多个发光二极体之间电连接。所述每个发光二极体包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层。所述连接层能够被硷性溶液蚀刻,所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓,且该底面有裸露的粗化表面。本发明还涉及一种发光二极体阵列的制造方法。
申请公布号 TWI443818 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW100118039 申请日期 2011.05.24
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 洪梓健;沈佳辉
分类号 H01L27/15;H01L33/62 主分类号 H01L27/15
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极体,所述多个发光二极体之间电连接,所述每个发光二极体包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层,其改进在于,所述连接层能够被硷性溶液蚀刻,所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓,且该底面有裸露的粗化表面。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号