二光子吸收基础的矽波导光功率监测器

摘要

监测从波导出来之光功率的替代方案为，提供一种直接监测在波导内部的光功率而不影响装置或系统性能的方法。波导包含p-i-n结构，其感应双光子吸收(TPA)产生的电流，并且可藉由逆向偏压二极体来予以增强，该TPA电流可以直接藉由探测设置在波导之顶部表面上的金属接点来予以测量，并且可致能晶圆层级的测试。该等p-i-n结构可以被实施于遍及整合网路上之所想要的点，因而允许针对原位功率监测及故障分析之不同装置的探测功率。

主权项

一种用于监测矽导波光功率之设备，其包含：波导，系形成在绝缘体上覆矽(SOI)基板上；P掺杂区域，在该波导的第一侧上；N掺杂区域，在该波导的相对侧上，其中，当该P掺杂区域和该N掺杂区域被逆向偏压时，该波导中之光功率系藉由测量双光子吸收(TPA)产生之电流来予以监测；及在跨有该波导之该基板的顶部表面上之复数个探针接点对，在每一该探针接点对中之一探针接点电连接至该P掺杂区域，且每一该探针接点对中之另一探针接点电连接至该N掺杂区域，该探针接点对被设于沿着该波导之任一点，以原位判定行进于该波导内在该点处的光功率。