发明名称 发光二极体封装结构之形成方法及其基座之形成方法
摘要 一种发光二极体封装结构基座之形成方法,其包括以下几个步骤:提供一基板,在基板上开设多个通孔,该多个通孔将基板平均分为多个基板单元;对基板表面进行蚀刻,使每个基板单元表面上形成挡墙;在每个基板单元上形成金属电极层;在每个基板单元上设置反射壁,构成一容置杯,挡墙位于容置杯中;沿基板之通孔切割形成多个基座。本发明还提供一种发光二极体封装结构之形成方法。
申请公布号 TWI443872 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW100127834 申请日期 2011.08.05
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 柯志勋;蔡明达;张超雄
分类号 H01L33/48;H01L33/62 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体封装结构基座之形成方法,其包括以下几个步骤:步骤一,提供一基板,在基板上开设多个通孔,该多个通孔将基板平均分为多个基板单元;步骤二,对基板上表面进行蚀刻,使每个基板单元上表面上形成挡墙,对基板下表面进行蚀刻,使每个基板单元下表面上形成一凸起结构;步骤三,在每个基板单元上形成第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极分别位于挡墙之两侧,其中该第一电极和第二电极之一端分别伸至挡墙,另一端分别从基板之通孔延伸至凸起结构;步骤四,在每个基板单元上设置反射壁,每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯,挡墙位于容置杯中;及步骤五,沿基板之通孔切割形成多个基座。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号