发明名称 |
发光二极体封装结构之形成方法及其基座之形成方法 |
摘要 |
一种发光二极体封装结构基座之形成方法,其包括以下几个步骤:提供一基板,在基板上开设多个通孔,该多个通孔将基板平均分为多个基板单元;对基板表面进行蚀刻,使每个基板单元表面上形成挡墙;在每个基板单元上形成金属电极层;在每个基板单元上设置反射壁,构成一容置杯,挡墙位于容置杯中;沿基板之通孔切割形成多个基座。本发明还提供一种发光二极体封装结构之形成方法。 |
申请公布号 |
TWI443872 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW100127834 |
申请日期 |
2011.08.05 |
申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
发明人 |
柯志勋;蔡明达;张超雄 |
分类号 |
H01L33/48;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L33/48 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极体封装结构基座之形成方法,其包括以下几个步骤:步骤一,提供一基板,在基板上开设多个通孔,该多个通孔将基板平均分为多个基板单元;步骤二,对基板上表面进行蚀刻,使每个基板单元上表面上形成挡墙,对基板下表面进行蚀刻,使每个基板单元下表面上形成一凸起结构;步骤三,在每个基板单元上形成第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极分别位于挡墙之两侧,其中该第一电极和第二电极之一端分别伸至挡墙,另一端分别从基板之通孔延伸至凸起结构;步骤四,在每个基板单元上设置反射壁,每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯,挡墙位于容置杯中;及步骤五,沿基板之通孔切割形成多个基座。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |